中兴博瑞

三菱IPM模块 _【V1系列】

性能特点

替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM

采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗

    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V

    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V

优化片上温度传感器 

新的结线技术显著改善功率循环

兼容现有V系列小封装 

SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选）

V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20%（PM300DV1A120与PM300DVA120相比较）

内部框图

应用领域

高端通用变频器、伺服电机驱动器等

封装尺寸

120mm×70mm

IPM (V1 series)